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榮耀50值得買嗎?拆解評測榮耀50參數配置 國產射頻脱穎而出

智能移動終端拆解開箱圖鑑 2021-07-08 14:46 次閲讀

榮耀50系列是榮耀獨立後的首款數字系列,需要面臨的困難是可想而知的,榮耀50系列的首銷成功,也證明了榮耀的號召力依然在。拆解沒有了麒麟芯片的榮耀50,對eWisetech來説也是必然的。那麼高銷量下的榮耀50系列在拆解後又會給大家呈現怎樣的答卷呢?

2-配置信息.jpg
本文圖源
eWisetech

本次拆解的是8GB +128GB版本。拆解設備均從電商平台購入,文內對拆解分析內容均基於該設備。

E拆解

關機取出卡託,卡託上套有硅膠圈。後蓋與內支撐通過膠固定,經過熱風槍加熱,再利用吸盤和撬片打開後蓋。在後蓋對應NFC線圈位置貼有石墨片用於散熱。攝像頭蓋板通過膠固定在後蓋上,正面貼有泡棉用於保護鏡頭。

3.jpg

頂部主板蓋和底部揚聲器通過螺絲固定。在主板蓋和揚聲器上都貼有石墨片,並且石墨片都延伸至電池位置,有利於散熱。主板蓋上有膠固定的NFC線圈、閃光燈板。再取下揚聲器上的彈片板。注意後置攝像頭模組有塑料框架固定。

4.jpg

取下主板、副板、前後攝像頭模組和同軸線。主板正面處理器&內存位置處塗有散熱硅脂用於散熱,副板USB接口處還套有硅膠套起到一定的防塵作用。

5.jpg

電池通過塑料膠紙固定。根據提拉把手指示便可拆解。然後依次取下按鍵軟板、傳感器板、主副板連接軟板、聽筒和指紋識別傳感器軟板。

6.jpg

6.57英寸的維信諾OLED屏幕與內支撐通過膠固定,膠粘面積較大,加熱屏幕,通過撬片和吸盤打開屏幕。在內支撐正面有大面積石墨片,並未發現液冷管。

7.jpg

拆解總結:榮耀50整機共採用23顆螺絲固定,採用比較常見的三段式結構。拆解難度中等,可還原性強。SIM卡託和USB接口採用硅膠圈保護,能起到一定的防塵作用。整機採用導熱硅脂+石墨的方式進行散熱,並未發現液冷管,在散熱方面有所欠缺。

8.jpg

E分析:

E分析欄目前期説到隨着5G時代的到來,越來越多國產芯片廠商的進入打破了國外壟斷的局面。在缺少了麒麟芯片的榮耀50中,我們還能發現哪些國產芯片呢?首先來看看主板標註的IC。

主板正面主要IC:

10.jpg

1:Qualcomm-QPM5541-射頻功放芯片

2:Qualcomm-QPM5577-射頻功放芯片

3TI-BQ25970-快充芯片

4:Qualcomm-WCD9370-音頻編解碼器芯片

5:Qualcomm-SM7325-高通驍龍778G處理器芯片

6Micron-8GB內存+128GB閃存芯片

7:Qualcomm-PM7325B-電源管理芯片

8:Qualcomm-WCN6750-WiFi/BT芯片

主板背面主要IC:

11.jpg

1NXP-SN100T-NFC控制芯片

2:Qualcomm-PM7350C-電源管理芯片

3:Qualcomm- PM7325-電源管理芯片

4:Qualcomm- SDR735-射頻收發芯片

5:Qualcomm- QDM3301-射頻前端模塊芯片

6:Qualcomm-QFM2340-射頻前端模塊芯

7:OnMicro-OM9902-11-射頻功放芯片

8:OnMicro-OM9901-11-射頻功放芯片

通過主板標註我們可以發現,本次榮耀50整機沒有采用麒麟芯片。在射頻芯片中除了與處理器配套的高通外,還有兩顆來自國產廠商昂瑞微的射頻功放芯片——OM9901-11與OM9902-11。

OM9901-11為2G頻段設計,低頻段支持GSM850/EGSM900,高頻段支持DCS1800/PCS1900頻段。OM9902-11支持3G/4G/5G NR 頻段。

這是eWiseTech工程師首次在手機中發現該廠商的芯片, OM9901和OM9902是昂瑞微在2020年推出的5G Sub-3GHz Phase5N解決方案。昂瑞微更是擁有完整的PA/FEM產品線系列,其產品覆蓋2G、3G、4G、5G Phase5N、L-PAMID和L-PAMIF全系列。並且也是國內首家同時擁有大規模量產的CMOS PA和GaAs PA技術的廠商。

12.jpg

早在2020年底,昂瑞微的Phase5N射頻前端模組已經在多家手機廠商和ODM方案商實現量產。而這次榮耀50的採用,是昂瑞微首次打入榮耀的供應鏈。國產廠商為榮耀50這樣的暢銷機型供貨,也從側面證明了其實力不容小覷。

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CC1200 低功耗高性能射頻收發器

TPS795 超低噪聲、高 PSRR、快速、射頻、500mA 低壓降線性穩壓器

信息描述 The TPS795 family of low-dropout (LDO), low-power linear voltage regulators features high power-supply rejection ratio (PSRR), ultralow noise, fast start-up, and excellent line and load transient responses in small outline, 6-pin SOT-223 and 3-mm × 3-mm WSON packages. Each device in the family is stable with a small 1-µF ceramic capacitor on the output. The family uses an advanced, proprietary BiCMOS fabrication process to yield extremely low dropout voltages (for example, 110 mV at 500 mA). Each device achieves fast start-up times (approximately 50 µs with a 0.001-µF bypass capacitor) while consuming very low quiescent current (265 µA, typical). Moreover, when the device is placed in standby mode, the supply current is reduced to less than 1 µA. The TPS79530 device exhibits approximately 33 µVRMS of output voltage noise at 3-V output with a 0.1-µF bypass capacitor. Applications with analog components that are noise-sen...
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TPS795 超低噪聲、高 PSRR、快速、射頻、500mA 低壓降線性穩壓器

TPS730 低噪聲、高 PSRR、射頻 200mA 低壓降線性穩壓器

信息描述The TPS730 family of low-dropout (LDO) low-power linear voltage regulators features high power-supply rejection ratio (PSRR), low noise, fast start-up, and excellent line and load transient responses in a small SOT-23 package. NanoStar packaging gives an ultrasmall footprint as well as an ultralow profile and package weight, making it ideal for portable applications such as handsets and PDAs. Each device in the family is stable, with a small, 2.2-µF ceramic capacitor on the output. The TPS730 family uses an advanced, proprietary BiCMOS fabrication process to yield low dropout voltages (for example, 120 mV at 200 mA, TPS73030). Each device achieves fast start-up times (approximately 50 µs with a 0.001-µF bypass capacitor) while consuming low quiescent current (170 µA typical). Moreover, when the device is placed in standby mode, the supply current is reduced to less than 1 µA. The TPS73018 exhibits approximately 33 µVRMS ...
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TPS730 低噪聲、高 PSRR、射頻 200mA 低壓降線性穩壓器

HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位數字衰減器,0.1 - 33 GHz

和特點 衰減範圍:1 dB LSB步進至31 dB 插入損耗:典型值6 dB(33 GHz) 衰減精度:±0.5 dB(典型值) 輸入線性度o0.1 dB壓縮(P0.1dB):24 dBm(典型值)o三階交調點(IP3):40 dBm(典型值) 功率處理:27 dBm 雙電源供電:±5 V CMOS/TTL兼容並行控制 24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝HMC939ATCPZ-EP支持防務和航空航天應用(AQEC標準) 下載HMC939ATCPZ-EP數據手冊(pdf) 軍用温度範圍:-55°C至+125°C 受控制造基線 唯一封裝/測試廠 唯一製造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 產品詳情 HMC939ALP4E是一款5位數字衰減器,以1 dB步長提供31 dB的衰減控制範圍。HMC939ALP4E在100 MHz至33 GHz的指定頻率範圍內提供最佳的插入損耗、衰減精度和輸入線性度。HMC939ALP4E需要VDD = +5 V和VSS = −5 V雙電源電壓供電,通過集成片內驅動器提供CMOS/TTL兼容並行控制接口。該器件採用符合RoHS標準的緊湊型4 mm × 4 mm LFCSP封裝。有關HMC939ALP4E的裸片版本,請參見HMC939A-DIE。應用 測試儀器儀表 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT) 軍...
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HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位數字衰減器,0.1 - 33 GHz

ADL5367 900 MHz 平衡混頻器,內置高端本振(LO)緩衝器和RF巴倫

和特點 功率轉換損耗:7.0 dB RF頻率範圍:500 MHz至1500 MHz IF頻率範圍:DC至450 MHz 10 dBm阻塞單邊帶噪聲指數:17 dB 輸入IP3:37 dBm 輸入P1dB :25 dBm 本振驅動:0 dBm(典型值) 單端50Ω RF與本振輸入端口 高隔離度單刀雙擲(SPDT)本振輸入開關 單電源電壓:3.3至5 V 5 mm × 5 mm,20引腳裸露焊盤LFCSP封裝 2000V HBM / 500V FICDM ESD性能產品詳情 ADI參考設計:混合信號數字預失真(MSDPD)平台ADL5367利用一個高線性度雙平衡無源混頻器內核以及集成的RF與本振平衡電路來實現單端工作。ADL5367內置一個RF巴倫,能夠利用高端本振注入,在700至1000 MHz的RF輸入頻率範圍內實現最佳性能。(用於低端本振注入的引腳兼容器件也已供應。)平衡的無源混頻器提供良好的本振至射頻泄漏(典型值優於-20 dBm),以及出色的互調性能。在手機應用中,帶內阻塞信號可能會導致動態性能下降,ADL5367的平衡混頻器內核能夠提供極高的輸入線性度,非常適合於要求嚴苛的手機應用。對於低壓應用,ADL5367能在低至3V的電壓下工作,並大幅降低直流電流。兩個數字邏輯輸入使得用户能夠控制一個內部電阻串數模...
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ADL5367 900 MHz 平衡混頻器,內置高端本振(LO)緩衝器和RF巴倫

AD8346 2.5 GHz 直接變頻正交調製器

和特點 輸出頻率範圍:800 MHz至2.5 GHz I/Q基帶頻率範圍:DC至70 MHz 輸出功率:–3 dBm P1 dB 本底噪聲:–147 dBm/Hz 正交相位精度:1°(均方根值) 振幅平衡:0.2 dB 低功耗,具有省電功能 2.7 V至5.5 V單電源 與 AD8345 / AD8349引腳兼容 產品詳情 AD8346是一款硅I/Q正交調製器,設計用於800 MHz至2.5 GHz頻率範圍。該器件針對低功耗應用進行了優化,對於給定的電源電流,仍能提供極低的本底噪聲和高輸出功率。AD8346只需要–10 dBm LO驅動電平,提供額定50 Ω緩衝輸出。該器件可提供出色的振幅和相位平衡以及邊帶抑制特性,支持高階/高容量QAM調製無線電。此外,AD8346已經過測試,用於直接上變頻CDMA IS95調試器時,可提供–72dBc ACPR。AD8346採用16引腳超薄緊縮小型(TSSOP)封裝,額定温度範圍為–40°C至+85°C。供貨提供樣片和評估板,產品型號分別為AD8346ARU和AD8346-EVAL。其它調製器/解調器產品AD8345 - 250MHz - 1GHz RF / IF正交調製器AD8347 – 800MHz - 2.7 GHz RF / IF正交解調器AD8349 – 800MHz - 2.7 GHz直接上變頻正交調製器 方框圖...
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AD8346 2.5 GHz 直接變頻正交調製器

HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器

和特點 低噪聲指數:2 dB(典型值) 高增益:25.0 dB(典型值) P1dB 輸出功率:13.5 dBm,24 GHz 至 40 GHz 高輸出 IP3:25.5 dBm(典型值) 裸片尺寸:1.309 mm × 1.48 × 0.102 mm 產品詳情 HMC1040CHIPS 是一款砷化鎵 (GaAs)、贗晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、微波單片集成電路 (MMIC) 低噪聲寬帶放大器,工作範圍為 20 GHz 至 44 GHz。HMC1040CHIPS 具有自偏置功能,並提供 25.0 dB 的典型增益、2 dB 的典型噪聲指數和 25.5 dBm 的典型輸出三階交調點 (IP3),只需要 65 mA 電流,2.5 V 電源電壓。15.5 dBm 的典型飽和輸出功率 (PSAT) 可以使低噪聲放大器 (LNA) 用作 Analog Devices, Inc. 眾多平衡式同樣正交 (I/Q) 或鏡頻抑制混頻器的本地振盪器 (LO) 驅動器。HMC1040CHIPS 還具有可在內部匹配至 50 Ω 的輸入和輸出,使其適用於基於表面安裝技術 (SMT) 的高容量微波無線電應用。應用 軟件定義無線電 電子戰 雷達應用 衞星通信 電子戰 儀器儀表 電信 方框圖...
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HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器

ADL5541 射頻/中頻( RF/IF)增益模塊,工作頻率50 MHz 至6 GHz ,增益15 dB

和特點 固定增益:15 dB 工作頻率:6 GHz 內部匹配的50Ω輸入/輸出電阻 內置偏置控制電路 輸出IP3 44 dBm @ 500 MHz 40 dBm @ 900 MHz 輸出1 dB壓縮點:19.7 dBm @900 MHz 噪聲係數:3.5 dB @ 900 MHz 單電源供電:5V 8引腳LFCSP小尺寸封裝 與20 dB增益的ADL5542 引腳兼容 1 kV靜電放電(ESD)保護(Class 1C) 產品詳情 ADL5541是一款15 dB寬帶的線性放大器,工作頻率高達6 GHz。該放大器可以用於各種有線電視、手機以及儀器設備。 ADL5541可以提供15 dB增益,在頻率、温度與電源範圍內穩定工作, 器件一致性好。該增益模塊內部匹配輸入電阻為50Ω,在6 GHz以內其輸入回波損耗為10 dB以下。它工作時只要求輸入/輸出交流耦合電容器、電源去耦合電容器以及外部電感。 ADL5541採用InGaP HBT工藝製作,靜電放電(ESD)保護額定值為1 kV (Class 1C)。它採用3 mm × 3 mm LFCSP封裝,帶裸露焊盤,具有出色的熱阻性能。 ADL5541採用5 V單電源供電,功耗90 mA,工作温度範圍:-40°C至+85°C。 現在可以供應完全符合RoHS標準的評估板。 ADL5542為系列產品,可提供增益20 dB,與ADL55...
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ADL5541 射頻/中頻( RF/IF)增益模塊,工作頻率50 MHz 至6 GHz ,增益15 dB

AD8341 RF矢量調製器,1.5 GHz 至2.4 GHz

和特點 工作頻率範圍:1.5 GHz至2.4 GHz 幅度控制範圍:30 dB 笛卡爾I/Q基帶頻率範圍:DC至230 MHz 輸出三階交調截點:+17.5 dBm 相位控制範圍:360° 輸出1dB壓縮點:+8.5 dBm 輸出開關禁用功能 5V單電源 與AD8340引腳兼容 產品詳情 單芯片RF振幅與移相器AD8341是一款高性能RF矢量調製器,輸入頻率範圍為1.5 GHz至2.4 GHz,可連續、獨立地調整振幅和相位。通過寬帶笛卡爾I/Q接口,可實現完整的360°相位調整和30 dB以上的增益控制。I和Q接口提供230 MHz的全功率信號帶寬,可通過單端或差分方式驅動,具有±500 mV滿量程輸入。AD8341採用24引腳LFCSP封裝,額定温度範圍為–40°C至+85°C。供貨提供樣片和評估板,產品型號分別為AD8341ACP和AD8341-EVAL。同類產品AD8302 - 低頻至2.7 GHz RF/IF增益相位檢波器AD8340 - RF矢量調製器,700 MHz至1000 MHz其它調製器/解調器產品AD8345 - 250 MHz至1000 MHz低噪聲RF/IF調製器AD8346 - 800 MHz至2.5 GHz低功耗直接上變頻調製器AD8347 - 800 MHz至2.7 GHz直接變頻解調器AD8348 - 50 MHz至1000 MHz RF/IF正交解調器AD...
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AD8341 RF矢量調製器,1.5 GHz 至2.4 GHz

ADL6010 快速響應、45 dB 範圍、 0.5 至 40 GHz 功率檢波器

和特點 具有線性度的肖特基二極管檢波器 寬帶50 Ω輸入阻抗 具有最小斜率變化的精確響應範圍:0.5 GHz至43.5 GHz 輸入範圍:−30 dBm至+15 dBm,參考50 Ω 出色的温度穩定性 2.1 V/VPEAK(輸出電壓根據輸入峯值電壓)斜率(10 GHz) 快速包絡帶寬: 40 MHz 快速輸出上升時間: 4 ns 低功耗: 1.6 mA (5.0 V) 2 mm x 2 mm、6引腳LFCSP封裝 產品詳情 ADL6010是一款多功能微波頻譜寬帶包絡檢波器, 以單個易於使用的6引腳封裝提供一流的精度和極低的功耗(8 mW)。 該器件輸出的基帶電壓與射頻(RF)輸入信號的瞬時幅度成正比。 它的RF輸入具有非常小的斜率變化,以便包絡從0.5 GHz到43.5 GHz的輸出傳遞函數檢波器單元使用專利的八肖特基二極管陣列,後接新穎的線性化電路,可創建相對於輸入電壓幅度,總比例因子(或傳遞增益)標稱值為?2.2的線性電壓表雖然ADL6010本質上並不是一款功率響應器件,但以這種方式指定輸入依然是很方便的。 因此,相對於50 Ω源輸入阻抗,允許的輸入功率範圍為−30 dBm至+15 dBm。 對應的輸入電壓幅度為11.2 mV至1.8 V,產生範圍從25 mV左右到4 V以上共模(COMM)的準直流輸出。平衡檢波器拓撲...
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ADL6010 快速響應、45 dB 範圍、 0.5 至 40 GHz 功率檢波器

HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式開關,DC - 2.5 GHz

和特點 低插入損耗(2 GHz):1.1dB 單正電源:Vdd = +5V 集成式3:8 TTL解碼器 24引腳QSOP封裝 產品詳情 HMC253AQS24和HMC253AQS24E均為低成本非反射SP8T開關,採用24引腳QSOP封裝,寬帶工作頻率範圍為DC至2.5 GHz。該開關提供單正偏置和真TTL/CMOS兼容性。該開關上集成了3:8解碼器,僅需三個控制線和一個正偏置即可選擇每個路徑。HMC253AQS24和HMC253AQS24E SP8T將替代SP4T和SPDT MMIC開關的多種配置。應用 CATV/DBS CDMA 蜂窩/PCS 方框圖...
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HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式開關,DC - 2.5 GHz

HMC647A GaAs MMIC 6位數字移相器,2.5-3.1 GHz

和特點 低RMS相位誤差: 1.5° 低插入損耗: 4 dB 高線性度: +50 dBm 正控制邏輯 360°覆蓋,LSB = 5.625° 28引腳QFN無引腳SMT封裝: 36mm2產品詳情 HMC647ALP6E是一款6位數字移相器,額定頻率範圍為2.5至3.1 GHz,提供360度相位覆蓋,LSB為5.625度。 HMC647ALP6E在所有相態具有1.5度的極低RMS相位誤差及±0.4 dB的極低插入損耗變化。 此款高精度移相器通過0/+5V的正控制邏輯控制。HMC647ALP6E採用緊湊型6x6 mm塑料無引腳SMT封裝,內部匹配50 Ohms,無需任何外部元件。 應用 EW接收器 氣象和軍用雷達 衞星通信 波束成形模塊 相位抵消 方框圖...
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HMC647A GaAs MMIC 6位數字移相器,2.5-3.1 GHz

ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上變頻器

和特點 RF輸出頻率範圍:17 GHz至24 GHz IF輸入頻率範圍:2 GHz至4 GHz LO輸入頻率範圍:8GHz至12 GHz,集成2×乘法器 邊帶抑制:32 dB(下邊帶) P1dB:25 dBm 增益調節:30 dB 輸出IP3:33 dBm 匹配50 Ω RF輸出、LO輸入和IF輸入 32引腳、4.9 mm × 4.9 mm LCC封裝 產品詳情 ADMV1011是一款採用緊湊的砷化鎵(GaAs)設計、單芯片微波集成電路(MMIC)、雙邊帶(DSB)上變頻器,採用符合RoHS標準的封裝,針對工作頻率範圍為17 GHz至24 GHz的點對點微波無線電設計進行優化。ADMV1011提供21 dB的轉換增益,具有針對下邊帶和上邊帶的32 dBc和23 dBc邊帶抑制性能。ADMV1011採用射頻(RF)放大器,前接由驅動放大器驅動集成2×乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)雙平衡混頻器。還提供IF1和IF2混頻器輸入,需通過外部90°混合選擇所需的邊帶。I/Q混頻器拓撲結構則降低了干擾邊帶的濾波要求。ADMV1011為混合型DSB上變頻器的小型替代器件,它無需線焊,可以使用表貼製造裝配。ADMV1011上變頻器採用緊湊的散熱增強型、4.9 mm × 4.9 mm LCC封裝。ADMV1011工作温度範圍為−40°C至+85°...
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ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上變頻器

AD8343 DC至2.5 GHz 、高IP3有源混頻器

和特點 高性能有源混頻器 寬帶操作,頻率最高達2.5 GHz 轉換增益:7 dB 輸入IP3:16.5 dBm LO驅動:–10 dBm 噪聲係數:14 dB 輸入P1dB:2.8 dBm 差分LO、IF和RF端口 50 Ω LO輸入阻抗 單電源供電:5 V(50 mA,典型值) 省電模式:20 µA(典型值)產品詳情 AD8343是一款高性能、寬帶有源混頻器,具有極低交調失真,所有端口均具有寬帶寬,非常適合要求嚴格的發射應用或接收通道應用。AD8343的典型變頻增益為7 dB。集成的LO驅動器以低LO驅動電平,支持50 Ω差分輸入阻抗,有助於將外部元件數降至最少。開發差分輸入可以直接與差分濾波器接口,或通過平衡-不平衡變換器(變壓器)驅動,由單端源提供平衡驅動。開集差分輸出可以用來驅動差分中頻信號接口,或通過匹配網絡或變壓器轉換為單端信號。以VPOS電源電壓為中心時,輸出擺幅為±1 V。LO驅動器電路的典型功耗為15 mA。可利用兩個外部電阻來設置混頻器內核電流,以達到要求的性能,總電流為20 mA至60 mA。採用5 V單電源供電時,相應的功耗為100 mW至300 mW。AD8343採用ADI公司的高性能25 GHz硅雙極性IC工藝製造,提供14引腳TSSOP封裝,工作温度範圍為−...
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AD8343 DC至2.5 GHz 、高IP3有源混頻器

ADF7023 高性能、低功耗ISM頻段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收發器IC

和特點 超低功耗、高性能收發器 工作頻段862 MHz至928 MHz431 MHz至464 MHz 支持的數據速率:1 kbps至300 kbps 電源電壓範圍:2.2 V至3.6 V 單端和差分PA 中頻帶寬可編程的低中頻接收機:100 kHz、150 kHz、200 kHz、300 kHz 接收機靈敏度(BER)−116 dBm(1.0 kbps,2FSK、GFSK)−107.5 dBm(38.4 kbps,2FSK、GFSK)−102.5 dBm(150 kbps,GFSK、GMSK)−100 dBm(300 kbps,GFSK、GMS)−104 dBm(19.2 kbps,OOK) 極低功耗 RF輸出功率範圍:−20 dBm至+13.5 dBm(單端PA) 欲瞭解更多特性,請參考數據手冊產品詳情 ADF7023是一款工作在862 MHz至931 MHz和431 MHz至464 MHz頻段的極低功耗、高集成度2FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收發器,這些頻段覆蓋免許可的433MHz、868MHz和915MHz ISM頻段。它適合歐洲ETSI EN300-220、北美FCC (Part 15)、中國短程無線監管標準或其它類似地區標準下的電路應用。支持1 kbps至300 kbps的數據速率。發射RF頻率合成器包含一個VCO和一個輸出通道頻率分辨率為400 Hz的低噪聲小數N分頻鎖相環(PLL)。VCO的工作頻...
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ADF7023 高性能、低功耗ISM頻段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收發器IC

HMC-C584 0.1 GHz至40 GHz、31 dB、5位數字衰減器

和特點 1.0 dB LSB步進至31 dB 每位單正控制線 誤碼率:±1.0 dB(典型值) 輸入IP3: 43 dBm CMOS兼容控制 密封模塊 可現場更換的K型連接器 工作温度: -55℃至+85℃ 產品詳情 HMC-C584是一款0.1 GHz至40 GHz、5位、砷化鎵(GaAs) IC數字衰減器,封裝在微型密封模塊中。 這款寬帶衰減器具有7 dB的典型插入損耗和43 dBm的輸入IP3,位值為1 dB (LSB)、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB,總衰減範圍為31 dB。 該器件的衰減精度很高,典型步長誤差為±1.0 dB。 五個控制電壓輸入在0 V和5 V之間切換,用於選擇每個衰減狀態。 可移除的K型連接器可以拆卸,以便將模塊的輸入/輸出引腳直接連接到微帶或共面電路。應用 光纖和寬帶電信 微波無線電和VSAT 軍用無線電、雷達和電子對抗(ECM) 空間系統 測試儀器儀表 方框圖...
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HMC-C584 0.1 GHz至40 GHz、31 dB、5位數字衰減器

ADRF6601 750 MHz至1160 MHz接收混頻器,集成小數N分頻PLL和VCO

和特點 集成小數N分頻PLL的接收混頻器 RF輸入頻率範圍:300 MHz至2500 MHz 內部LO頻率範圍:750 MHz至1160 MHz 輸入P1dB:14.5 dBm 輸入IP3:31 dBm 通過外部引腳優化IIP3 SSB噪聲係數IP3SET引腳斷開:13.5 dBIP3SET引腳接3.3 V電壓:14.6 dB 電壓轉換增益:6.7 dB 200 Ω IF輸出匹配阻抗 IF 3 dB帶寬:500 MHz 可通過三線式SPI接口進行編程 40引腳、6 mm × 6 mm LFCSP封裝 產品詳情 ADRF6601是一款高動態範圍有源混頻器,集成鎖相環(PLL)和壓控振盪器(VCO)。PLL/頻率合成器利用小數N分頻PLL產生fLO輸入,供給混頻器。基準輸入可以進行分頻或倍頻,然後施加於PLL鑑頻鑑相器(PFD)。PLL支持12 MHz至160 MHz範圍內的輸入基準頻率。PFD輸出控制一個電荷泵,其輸出驅動一個片外環路濾波器。然後,環路濾波器輸出施加於一個集成式VCO。VCO輸出(2 × fLO)再施加於一個LO分頻器和一個可編程PLL分頻器。可編程PLL分頻器由一個Σ-Δ調製器(SDM)進行控制。SDM的模數可以在1至2047範圍內編程。有源混頻器可將單端50 Ω RF輸入轉換為200 Ω差分IF輸出。...
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ADRF6601 750 MHz至1160 MHz接收混頻器,集成小數N分頻PLL和VCO

ADRF6720-27 寬帶(400 MHz至3 GHz)正交調製器,集成PLL/VCO和2.68 V輸入偏置

和特點 集成小數N分頻PLL的I/Q調製器 RF輸出頻率範圍: 400 MHz至3,000 MHz 內部LO頻率範圍: 356.25 MHz至2855 MHz 輸出P1dB: 10.8 dBm (2140 MHz) 輸出IP3: 31.1 dBm (2140 MHz) 載波饋通: −44.3 dBm (2140 MHz) 邊帶抑制: -40.8 dBc(2,140 MHz) 噪底: −159.5 dBm/Hz (2140 MHz) 基帶1 dB調製帶寬: >1000 MHz 基帶輸入偏置電平: 2.68 V 電源: 3.3 V /425 mA 集成式RF可調諧巴倫,允許單端RF輸出 多核集成式VCO HD3/IP3優化 邊帶抑制和載波饋通優化 高端/低端LO注入 可通過三線式串行端口接口(SPI)進行編程 40引腳6 mm x 6 mm LFCSP封裝 產品詳情 ADRF6720-27是一款集成頻率合成器的寬帶正交調製器,非常適合用於3G和4G通信系統。 ADRF6720-27內置一個高線性度寬帶調製器、一個集成式小數N分頻鎖相環(PLL),以及四個低相位噪聲多核壓控振盪器(VCO)。 ADRF6720-27本振(LO)信號可從內部通過片內整數N分頻或小數N分頻頻率合成器產生,也可從外部通過高頻、低相位噪聲LO信號產生。 內部集成式頻率合成器利用多核VCO,實現356.25 MHz到28...
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ADRF6720-27 寬帶(400 MHz至3 GHz)正交調製器,集成PLL/VCO和2.68 V輸入偏置

ADRF6658 集成IF放大器的寬帶雙通道RX混頻器

和特點 寬帶、雙通道、有源下變頻混頻器 低失真、快速建立、IF DGA RF輸入頻率範圍:690 MHz至3.8 GHz RF輸入端的可編程巴倫 差分和單端LO輸入模式 差分IF輸出阻抗:100 Ω 可通過三線式串行端口接口(SPI)進行編程 對於RF=1950 MHz、IF=281 MHz、高線性度模式: 電壓轉換增益,包括IF濾波器損耗:−5至+26.5 dB (更多詳細信息,請參見數據手冊) 靈活的省電模式,針對低功耗操作 通道使能後的上電時間:100 ns,典型值 3.3 V單電源 高線性度模式:440 mA 低功耗模式:260 mA 產品詳情 ADRF6658是一款高性能、低功耗、寬帶、雙通道無線電頻率(RF)下變頻器,集成中頻(IF)數字控制放大器(DGA),適用於寬帶、低失真基站無線電接收機。 雙通道Rx混頻器為雙平衡吉爾伯特單元混頻器,具有高線性度和出色的圖像抑制能力。 兩款混頻器均可將50 Ω RF輸入轉換為開集寬帶IF輸出。 在混頻器輸入前,RF輸入端的內部可調諧巴倫可抑制RF信號諧波並衰減帶外信號,從而減少輸入反射和帶外干擾信號。 靈活的本振(LO)架構允許使用差分或單端LO信號。 雙通道IF DGA基於ADL5201和ADL5202,固定差分輸出...
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ADRF6658 集成IF放大器的寬帶雙通道RX混頻器

HMC6300 60 GHz毫米波發射器,57 GHz - 64 GHz

和特點 頻段:57 - 64 GHz RF信號帶寬:最高達1.8 GHz 針對1 dB壓縮的輸出功率:15 dBm 增益:5 - 35 dB 數字和模擬RF和IF增益控制 集成頻率合成器 集成鏡像抑制濾波器 部分外置的環路濾波器 支持外部LO 片內温度傳感器 支持256-QAM調製 集成MSK調製器 通用模擬I/Q基帶接口 三線式串行數字接口 符合RoHS標準的65引腳晶圓級球柵陣列封裝 產品詳情 HMC6300BG46是一款完整的毫米波發射器集成電路,採用符合RoHS標準的6 mm x 4 mm晶圓級球柵陣列(WLBGA)封裝,工作頻率範圍為57 GHz至64 GHz,調製帶寬高達1.8 GHz。集成式頻率合成器在250、500或540 MHz步長下進行調諧,具有出色的相位噪聲,支持高達64-QAM的調製。或者,可以注入外部LO,它支持用户可選LO特性或相位相干發射和接收操作以及高達256-QAM的調製。通過通用模擬基帶IQ接口提供對各種調製格式的支持。發射器芯片還支持專用FSK、MSK、OOK調製格式,從而實現更低成本和功耗的串行數據鏈路,而無需使用高速數據轉換器。差分輸出向100 Ω負載提供高達15 dBm的線性輸出功率。同時支持單端操作,最高12 dBm。與HMC6301BG46一起,完整的60 G...
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HMC6300 60 GHz毫米波發射器,57 GHz - 64 GHz